參數(shù)資料
型號： HAT2129H
文件頁數(shù)： 1/5頁
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代理商： HAT2129H
HAT2108R
Silicon N Channel Power MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1574C (Z)
4th. Edition
Aug. 2002
Features
Low on-resistance
Capable of 2.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Outline
SOP-8
1234
5
6
7
8
G
D
S
D
G
D
S
D
MOS1
MOS2
1
2
7 8
4
5 6
3
1, 3 Source
2, 4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
相關PDF資料
PDF描述
HAT2134H
HAT2137H Datasheet|ADE-208-1579B|DEC.13.02|71K
HAT2139H
HB28B064A8HSR IC Memory CompactFlash /PC-ATA Standard Users Manual/Device
HB28B064C8H IC Memory CompactFlash /PC-ATA Standard Users Manual/Device
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2129H-EL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2131R 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2132H 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT2132H-EL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT2134H 功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A 5LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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