參數(shù)資料
型號: HAT1046R
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 37K
代理商: HAT1046R
HAT1041T
Silicon P Channel Power MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1238F (Z)
7th. Edition
Jan. 2001
Features
Low on-resistance
Capable of 2.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Outline
TSSOP-8
G
D
S
2
4
1
1, 5, 8 Drain
2, 3, 6, 7 Source
4 Gate
S
3
1234
8765
D D
5
8
S
6
S
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT1048R TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 16A I(D) | SO
HAT1053M
HAT1054R
HAT1059C
HAT1072H
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT1047R 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
HAT1047RJ 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
HAT1047RWS-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,30V,14A,ohm,SOP8 制造商:Renesas 功能描述:0
HAT1048R 功能描述:MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT1048R-EL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件