型號: | HAT1046R |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大小: | 37K |
代理商: | HAT1046R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HAT1048R | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 16A I(D) | SO |
HAT1053M | |
HAT1054R | |
HAT1059C | |
HAT1072H | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HAT1047R | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
HAT1047RJ | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
HAT1047RWS-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,30V,14A,ohm,SOP8 制造商:Renesas 功能描述:0 |
HAT1048R | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
HAT1048R-EL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |