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參數(shù)資料
| 型號： | HAT1030T |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET(P溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS FET性（P溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | HAT1030T |
HAT1030T
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C) (cont)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Body–drain diode forward
voltage
V
DF
—
(TBD)
(TBD)
V
IF = –3A, V
GS
= 0
Note4
Body–drain diode reverse
recovery time
Note:
4. Pulse test
t
rr
—
(TBD)
—
ns
IF = –3A, V
GS
= 0
diF/ dt =20A/
μ
s
Main Characteristics
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
100
150
200
C
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
2DieOeain
1DiveOpeaion
Test Condition :
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm), PW < 10 s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT1031T | Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT1033T | Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT1036R | Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT1038RJ | Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT1038R | Silicon P Channel Power MOS FET(P溝道功率MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAT1031T | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT1033T | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT1035R | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching |
| HAT1035R-EL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching |
| HAT1036R | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP - Tape and Reel |
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