FN2925.9 Die Characteristics DIE DIMENSIONS: 98.4 mils x 67.3 mils x 19 mils 2500 m x 1710m x 483m METALLIZATION: Type: Al, 1% Cu Thickness: 16k" />
參數(shù)資料
型號(hào)： HA9P5104-9
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OP AMP 8MHZ QUAD LN 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 48
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 4
轉(zhuǎn)換速率： 3 V/µs
-3db帶寬： 8MHz
電流 - 輸入偏壓： 130nA
電壓 - 輸入偏移： 500µV
電流 - 電源： 5mA
電流 - 輸出 / 通道： 15mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±5 V ~ 18 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC
包裝： 管件
9
FN2925.9
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
98.4 mils x 67.3 mils x 19 mils
2500
m x 1710m x 483m
METALLIZATION:
Type: Al, 1% Cu
Thickness: 16k
±2k
PASSIVATION:
Type: Nitride (Si3N4) over Silox (SiO2, 5% Phos.)
Silox Thickness: 12k
±2k
Nitride Thickness: 3.5k
±1.5k
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
Unbiased
TRANSISTOR COUNT:
93
PROCESS:
Bipolar Dielectric Isolation
Metallization Mask Layout
HA-5102
FIGURE 24. SLEW RATE vs TEMPERATURE
FIGURE 25. RISE TIME vs TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
TEMPERATURE (oC)
-60
20
120
100
80
60
40
0
-20
-40
SLEW
RA
TE
(NO
R
MALIZED)
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
RL = 2k, CL = 50pF, VS = ±15V
TEMPERATURE (oC)
-60
20
120
100
80
60
40
0
-20
-40
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
RIS
E
T
IME
(NORMALI
ZED)
RL = 2k, CL = 50pF, VS = ±15V
+IN2
-IN2
OUT2
V+
V-
+IN1
-IN1
OUT1
HA-5102, HA-5104
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TA35-CFTWMJ20C0 CIRC BREAKER/WHITE ROCKER SP 2A
0034.3104.PT FUSE 50MA 250V 5X20 T-LAG GLASS
TA35-CFTBLJ03C0 CIRCUIT BRKR THERMAL .3A BLK
TA35-CFTBLJ08C0 CIRCUIT BRKR THERMAL .8A BLK
HA5351IB IC AMP SAMPLE-HOLD 64NS 8-SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HA9P5111-5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HA9P5111-5 9 WAF 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HA9P5111-9 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HA9P5114-5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HA9P5114-9 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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