參數(shù)資料
型號(hào)： HA31005ANPTL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： SiGe MMIC High Frequency Power Amplifier
中文描述： 硅鍺MMIC的高頻功率放大器
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： HA31005ANPTL-E
HA31005ANP
REJ03F0173-0200 Rev.2.00 Jul 31, 2007
Page 2 of 7
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
V
CC
PG1
Icc1
Pout1
Min.
3
—
—
—
Typ
3.3
24
160
+18
Max.
3.6
—
—
—
Unit
V
dB
mA
dBm
Test Conditions
Supply Voltage
Power Gain
Circuit Current
Output Power
f = 5.15 to 5.35 GHz
Pout = +18 dBm, Icq = 130 mA
f = 5.15 GHz , EVM = 4%,
54 Mbps, 64 QAM_OFDM, Icq = 130 mA
f = 2.484 GHz
Pout = +18 dBm, Icq = 90 mA
Power Gain
Circuit Current
Output Power
PG2
Icc2
Pout2
—
—
—
30
110
+18
—
—
—
dB
mA
dBm
f = 2.484 GHz, EVM = 4%,
54 Mbps, 64 QAM_OFDM, Icq = 90 mA
f = 2.484 GHz, .11 b 11 Mbps
Vcc = 3.3 V, Icq = 90 mA
Power Gain
Circuit Current
Output Power
Function Block Diagram
PG3
Icc3
Pout3
—
—
—
30
170
+22
—
—
—
dB
mA
dBm
GND
V
G
V
G
V
V
V
G
RFout
RFout
GND
RFin
Vcc
bias
bias
bias
GND
GND
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HA31006ANP SiGe MMIC High Frequency Low Noise Amplifier
HA31006ANPTL-E SiGe MMIC High Frequency Low Noise Amplifier
HA4-2546883 Wideband Two Quadrant Analog Multiplier (Voltage Output)
HA1-2546883 Wideband Two Quadrant Analog Multiplier (Voltage Output)
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參數(shù)描述
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