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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HA2-2529-2 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 運(yùn)動(dòng)控制電子 |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | OP-AMP, 8000 uV OFFSET-MAX, 20 MHz BAND WIDTH, MBCY8 |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | HA2-2529-2 |
8
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
67 mils x 57 mils x 19 mils
1700
μ
m x 1440
μ
m x 483
μ
m
METALLIZATION:
Type: Al, 1% Cu
Thickness: 16k
±
2k
SUBSTRATE POTENTIAL
Unbiased
PASSIVATION:
Type: Nitride (Si
3
N
4
) over Silox (SiO
2
, 5% Phos.)
Silox Thickness: 12k
±
2k
Nitride Thickness: 3.5k
±
1.5k
TRANSISTOR COUNT:
40
PROCESS:
Bipolar Dielectric Isolation
Metallization Mask Layout
HA-2529
COMP
V+
OUT
BAL
BAL
-IN
+IN
V-
HA-2529
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