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參數(shù)資料
| 型號： | H2222A |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | H2222A |
N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R
H 2222A
MPS2222A
1
2
3
E
B
C
TO-92
T
a
=25
T
stg
-
55~150
T
j
150
P
C
625mW
V
CBO
75V
V
CEO
40V
V
EBO
6V
I
C
600mA
T
a
=25
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE(sat
f
T
Cob
75
40
6
100
300
10
10
400
0. 3
8
V
V
V
nA
nA
V
MHz
pF
I
C
=10
I
C
=10mA I
B
=0
I
E
=10
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=150mA
I
C
=150mA, I
B
=15mA
V
CE
=20V, I
C
=20mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1MHz
A I
E
=0
A I
C
=0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H23A1 | MATCHED EMITTED DETECTOR |
| H23A2 | MATCHED EMITTED DETECTOR |
| H2584 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| H2585 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| H2585 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| H2225E-CA | 制造商:GETWIRELESS 功能描述:3G CELLULAR GATEWAY |
| H2225E-CD | 制造商:GETWIRELESS 功能描述:3G CELLULAR GATEWAY |
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| H222K33X7RL63J5R | 功能描述:瓷片電容器 .2LS 2200PF 500V 10% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| H222K35X7RN63J5R | 功能描述:瓷片電容器 .2LS 2200PF 1KV 10% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
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