參數(shù)資料
型號(hào)： H11G33S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
中文描述： 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-6
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 300K
代理商： H11G33S
2
Motorola Optoelectronics Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)(1)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
(1)
Max
Unit
INPUT LED
Reverse Leakage Current (VR = 3 V)
Forward Voltage IF = 10 mA)
Capacitance (V = 0 V, f = 1 MHz)
IR
VF
CJ
—
0.05
10
μ
A
—
1.1
1.5
Volts
—
18
—
pF
DARLINGTON OUTPUT
(TA = 25
°
C and IF = 0 unless otherwise noted)
Collector–Emitter Breakdown Current
(IC = 1 mA, IF = 0)
H11G1
H11G2
H11G3
V(BR)CEO
100
80
55
—
—
—
—
—
—
Volts
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
A, IF = 0)
H11G1
H11G2
H11G3
V(BR)CBO
100
80
55
—
—
—
—
—
—
Volts
Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = 100
μ
A, IF = 0)
Collector–Emitter Dark Current
(VCE = 80 V)
(VCE = 80 V, TA = 80
°
C)
(VCE = 60 V)
(VCE = 60 V, TA = 80
°
C)
(VCE = 30 V)
Capacitance (VCB = 10 V, f = 1 MHz)
COUPLED
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Collector Output Current
(VCE = 1 V, IF = 10 mA)
(VCE = 5 V, IF = 1 mA)
(VCE = 5 V, IF = 1 mA)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IF = 1 mA, IC = 1 mA)
(IF = 16 mA, IC = 50 mA)
(IF = 20 mA, IC = 50 mA)
Isolation Surge Voltage(3,4) (60 Hz ac Peak, 1 Second)
Isolation Resistance(3) (V = 500 Vdc)
Isolation Capacitance(3) (V = 0 V, f = 1 MHz)
V(BR)EBO
ICEO
7
—
—
Volts
H11G1
H11G1
H11G2
H11G2
H11G3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
100
100
100
100
nA
μ
A
nA
μ
A
nA
CCB
—
6
—
pF
H11G1, 2
H11G1, 2
H11G3
IC (CTR)(2)
100 (1000)
5 (500)
2 (200)
—
—
—
—
—
—
mA (%)
H11G1, 2
H11G1, 2
H11G3
VCE(sat)
—
—
—
0.75
0.85
0.85
1
1
1.2
Volts
VISO
7500
—
—
Vac(pk)
—
1011
—
Ohms
CIO
—
2
—
pF
SWITCHING
(TA = 25
°
C)
Turn–On Time
Pulse Width
300
μ
s, f = 30 Hz)
ton
toff
—
5
—
μ
s
Turn–Off Time
(IF = 10 mA, VCC = 5 V, RL = 100
,
—
100
—
1. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).
2. Current Transfer Ratio (CTR) = IC/IF x 100%.
3. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Photodarlington Pins 4 and 5 are common.
4. Isolation Surge Voltage, VISO, is an internal device dielectric breakdown rating.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11G33SD HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
H11G3S HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
H11G3SD HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
H11G2 HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPERS
H11L2 6-Pin DIP Optoisolators Logic Output
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
H11G33SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G3M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G3S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G3SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G3SM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV DARL OUTPUT, SURFACE MOUNT - Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*