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參數(shù)資料
| 型號： | H11G2S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS |
| 中文描述： | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | SURFACE MOUNT PACKAGE-6 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 300K |
| 代理商： | H11G2S |
2
Motorola Optoelectronics Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)(1)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
(1)
Max
Unit
INPUT LED
Reverse Leakage Current (VR = 3 V)
Forward Voltage IF = 10 mA)
Capacitance (V = 0 V, f = 1 MHz)
IR
VF
CJ
—
0.05
10
μ
A
—
1.1
1.5
Volts
—
18
—
pF
DARLINGTON OUTPUT
(TA = 25
°
C and IF = 0 unless otherwise noted)
Collector–Emitter Breakdown Current
(IC = 1 mA, IF = 0)
H11G1
H11G2
H11G3
V(BR)CEO
100
80
55
—
—
—
—
—
—
Volts
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
A, IF = 0)
H11G1
H11G2
H11G3
V(BR)CBO
100
80
55
—
—
—
—
—
—
Volts
Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = 100
μ
A, IF = 0)
Collector–Emitter Dark Current
(VCE = 80 V)
(VCE = 80 V, TA = 80
°
C)
(VCE = 60 V)
(VCE = 60 V, TA = 80
°
C)
(VCE = 30 V)
Capacitance (VCB = 10 V, f = 1 MHz)
COUPLED
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Collector Output Current
(VCE = 1 V, IF = 10 mA)
(VCE = 5 V, IF = 1 mA)
(VCE = 5 V, IF = 1 mA)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IF = 1 mA, IC = 1 mA)
(IF = 16 mA, IC = 50 mA)
(IF = 20 mA, IC = 50 mA)
Isolation Surge Voltage(3,4) (60 Hz ac Peak, 1 Second)
Isolation Resistance(3) (V = 500 Vdc)
Isolation Capacitance(3) (V = 0 V, f = 1 MHz)
V(BR)EBO
ICEO
7
—
—
Volts
H11G1
H11G1
H11G2
H11G2
H11G3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
100
100
100
100
nA
μ
A
nA
μ
A
nA
CCB
—
6
—
pF
H11G1, 2
H11G1, 2
H11G3
IC (CTR)(2)
100 (1000)
5 (500)
2 (200)
—
—
—
—
—
—
mA (%)
H11G1, 2
H11G1, 2
H11G3
VCE(sat)
—
—
—
0.75
0.85
0.85
1
1
1.2
Volts
VISO
7500
—
—
Vac(pk)
—
1011
—
Ohms
CIO
—
2
—
pF
SWITCHING
(TA = 25
°
C)
Turn–On Time
Pulse Width
300
μ
s, f = 30 Hz)
ton
toff
—
5
—
μ
s
Turn–Off Time
(IF = 10 mA, VCC = 5 V, RL = 100
,
—
100
—
1. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).
2. Current Transfer Ratio (CTR) = IC/IF x 100%.
3. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Photodarlington Pins 4 and 5 are common.
4. Isolation Surge Voltage, VISO, is an internal device dielectric breakdown rating.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11G2SD | HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS |
| H11G3 | HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS |
| H11G3300 | HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS |
| H11G3300W | HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS |
| H11G33S | HIGH VOLTAGE PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| H11G2SD | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11G2SM | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11G2SR2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:OPTO DEVICE-OPTOCOUPLER |
| H11G2SR2M | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11G2SR2VM | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 High Voltage Photodarlington Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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