參數(shù)資料
型號(hào)： H11D4
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光電耦合器
英文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： ROHS COMPLIANT, DIP-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 109K
代理商： H11D4
www.vishay.com
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
Document Number: 83611
290
Rev. 1.6, 10-Dec-08
H11D1, H11D2, H11D3, H11D4
Vishay Semiconductors
Optocoupler, Phototransistor
Output, with Base Connection,
High BVCER Voltage
Note
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified.
Minimum and maximum values were tested requierements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluations. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Note
Switching times measurement-test circuit and waveforms
OUTPUT
Collector emitter breakdown voltage
ICE = 1 mA, RBE = 1 MΩ
H11D1
BVCER
300
V
H11D2
BVCER
300
V
H11D3
BVCER
200
V
H11D4
BVCER
200
V
Emitter base breakdown voltage
IEB = 100 A
BVEBO
7V
Collector emitter capacitance
VCE = 10 V, f = 1 MHz
CCE
7pF
Collector base capacitance
VCB = 10 V, f = 1 MHz
CCB
8pF
Emitter base capacitance
VEB = 5 V, f = 1 MHz
CEB
38
pF
Thermal resistance
Rth
250
K/W
COUPLER
Coupling capacitance
CC
0.6
pF
Current transfer ratio
IF = 10 mA, VCE = 10 V,
RBE = 1 MΩ
IC/IF
20
%
Collector emitter,
saturation voltage
IF = 10 mA, IC = 0.5 mA,
RBE = 1 MΩ
VCEsat
0.25
0.4
V
Collector emitter, leakage current
VCE = 200 V, RBE = 1 MΩ
H11D1
ICER
100
nA
H11D2
ICER
100
nA
VCE = 300 V, RBE = 1 MΩ,
Tamb = 100 °C
H11D1
ICER
250
A
H11D2
ICER
250
A
CURRENT TRANSFER RATIO
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Current transfer ratio
IF = 10 mA, VCE = 10 V,
RBE = 1 MΩ
CTR
20
%
SWITCHING CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Turn-on time
IC = 2 mA (to be adjusted by varying IF),
RL = 100 Ω, VCC = 10 V
ton
5s
Rise time
IC = 2 mA (to be adjusted by varying IF),
RL = 100 Ω, VCC = 10 V
tr
2.5
s
Turn-off time
IC = 2 mA (to be adjusted by varying IF),
RL = 100 Ω, VCC = 10 V
toff
6s
Fall time
IC = 2 mA (to be adjusted by varying IF),
RL = 100 Ω, VCC = 10 V
tf
5.5
s
ELECTRICAL CHARACTERISTCS
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
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PDF描述
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參數(shù)描述
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H11D4300 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D4300W 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D43S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Phototrans SM-DIP6 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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