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參數資料
| 型號： | H11D2300W |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| 中文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, DIP-6 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | H11D2300W |
4
Motorola Optoelectronics Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 730A–04
ISSUE G
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEAD WHEN
FORMED PARALLEL.
STYLE 1:
PIN 1.
ANODE
CATHODE
NC
EMITTER
COLLECTOR
BASE
2.
3.
4.
5.
6.
6
4
1
3
–A–
–B–
SEATING
PLANE
–T–
4 PL
F
K
C
N
G
6 PL
0.13 (0.005)
D
6 PL
E
M
A
M
B
M
T
L
M
6 PL
J
M
B
M
0.13 (0.005)
A
M
T
DIM
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
M
N
MIN
0.320
0.240
0.115
0.016
0.040
0.010
0.100 BSC
0.008
0.100
0.300 BSC
0
0.015
MAX
0.350
0.260
0.200
0.020
0.070
0.014
MIN
8.13
6.10
2.93
0.41
1.02
0.25
2.54 BSC
0.21
2.54
7.62 BSC
0
0.38
MAX
8.89
6.60
5.08
0.50
1.77
0.36
MILLIMETERS
INCHES
0.012
0.150
0.30
3.81
15
0.100
15
2.54
CASE 730C–04
ISSUE D
–A–
–B–
SEATING
–T–
J
K
L
6 PL
M
B
M
0.13 (0.005)
A
M
T
C
D
6 PL
M
A
M
0.13 (0.005)
B
M
T
H
G
E
6 PL
F
4 PL
3
1
4
6
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
S
MIN
0.320
0.240
0.115
0.016
0.040
0.010
0.100 BSC
0.020
0.008
0.006
0.320 BSC
0.332
MAX
0.350
0.260
0.200
0.020
0.070
0.014
MIN
8.13
6.10
2.93
0.41
1.02
0.25
2.54 BSC
0.51
0.20
0.16
8.13 BSC
8.43
MAX
8.89
6.60
5.08
0.50
1.77
0.36
MILLIMETERS
INCHES
0.025
0.012
0.035
0.63
0.30
0.88
0.390
9.90
*Consult factory for leadform
option availability
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11D23S | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| H11D23SD | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| H11D2S | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| H11D2W | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| H11D1W | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| H11D23S | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11D23SD | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11D2M | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Phototrans RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11D2S | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| H11D2S_Q | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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