參數(shù)資料
型號(hào)： H11AA1-004
英文描述： Optoelectronic
中文描述： 光電
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： H11AA1-004
Parameter
EMITTER
Input Forward Voltage
Capacitance
DETECTOR
Breakdown Voltage
Collector to Emitter
Collector to Base
Emitter to Base
Emitter to Collector
Leakage Current
Test Conditions
Symbol
Device
Min
Typ
Max
Unit
I
F
= ±10 mA
V
F
= 0 V, f = 1.0 MHz
V
F
C
J
All
All
1.2
80
1.5
V
pF
I
C
= 1.0 mA, I
F
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
F
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
F
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
F
= 0
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
All
All
All
All
30
70
5
7
V
V
V
V
Collector to Emitter
V
CE
= 10 V, I
F
= 0
I
CEO
H11AA1,3,4
H11AA2
50
200
nA
Capacitance
Collector to Emitter
Collector to Base
Emitter to Base
V
CE
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 0, f = 1 MHz
C
CE
C
CB
C
EB
All
All
All
10
80
15
pF
pF
pF
INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C Unless otherwise specified.)
Characteristic
Package Capacitance input/output
Isolation Voltage
Isolation Resistance
Test Conditions
V
I-O
= 0, f = 1 MHz
f = 60 Hz, t = 1 min.
V
I-O
= 500 VDC
Symbol
C
I-O
V
ISO
R
ISO
Min
Typ
0.7
Max
Units
pF
V
5300
10
11
ISOLATION CHARACTERISTICS
Characteristics
Test Conditions
Symbol
Device
H11AA4
H11AA3
H11AA1
H11AA2
All
Min
100
50
20
10
.33
Typ
Max
Units
Current Transfer Ratio,
Collector to Emitter
I
F
= ±10 mA, V
CE
= 10 V
CTR
CE
%
Current Transfer Ratio, Symmetry
Saturation Voltage
Collector to Emitter
I
F
= ±10 mA, V
CE
= 10 V (Figure.8)
3.0
%
I
F
= ±10 mA, I
CE
= 0.5 mA
V
CE(SAT)
All
.40
V
TRANSFER CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C Unless otherwise specified.)
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2 OF 7
12/12/01
DS300212
AC INPUT/PHOTOTRANSISTOR
OPTOCOUPLERS
H11AA1
H11AA3
H11AA2
H11AA4
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PDF描述
H11AA1-009 Optoelectronic
H11AA2 Optoelectronic
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H11AA814 NPN-OUTPUT AC-INPUT OPTOCOUPLER
H11AA817 NPN-OUTPUT AC-INPUT OPTOCOUPLER
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參數(shù)描述
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H11AA1300 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11AA1300W 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11AA13S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11AA13SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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