參數(shù)資料
型號(hào): H11A5.S
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 光電耦合器
英文描述: GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
中文描述: 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝: SURFACE MOUNT, DIP-6
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大小: 408K
代理商: H11A5.S
2001 In
fi
neon Technologies Corp.
Optoelectronics Division
San Jose, CA
www.in
fi
neon.com/opto
1-888-In
fi
neon (1-888-463-4636)
Phototransistor, Industry Standard
2
56
March 27, 2000-00
MCT2/MCT2E—Characteristics
T
A
=25
°
C
Emitter
Forward Voltage
MCT270 through MCT277—Characteristics
T
A
=25
°
C
Emitter
Forward Voltage
Symbol
Min.
Typ.
1.1
Max.
1.5
Unit
V
μ
A
pF
Condition
I
F
=20 mA
V
R
=3.0 V
V
R
=0, f=1.0 MHz
V
F
I
R
C
O
Reverse Current
10
Capacitance
25
Detector
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
BV
CEO
BV
ECO
BV
CBO
I
CBO
I
CBO
C
CE
30
V
I
C
=1.0 mA,
I
F
=0 mA
I
E
=100
μ
A,
I
F
=0 mA
I
C
=10
μ
A,
I
F
=0 mA
V
C
E
=10 V,
I
F
=0
Emitter-Collector
7.0
Collector-Base
70
Leakage Current
Collector-Emitter
5.0
50
nA
Collector-Base
20
Capacitance, Collector-Emitter
10
pF
V
CE
=0
Package
DC Current Transfer Ratio
CTR
20
60
%
V
CE
=10 V,
I
F
=10 mA
Capacitance, Input to Output
C
I
O
R
IO
t
ON
,
t
OFF
0.5
pF
Resistance, Input to Output
100
G
μs
I
C
=2.0 mA,
R
L
=100
,
V
CE
=10 V
Switching Time
3.0
Symbol
Min.
Typ.
Max.
1.5
Unit
V
μ
A
pF
Condition
I
F
=20 mA
V
R
=3.0 V
V
R
=0, f=1.0 MHz
V
F
I
R
C
O
Reverse Current
10
Capacitance
25
Detector
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
BV
CEO
BV
ECO
BV
CBO
I
CEO
30
V
I
C
=10
μ
A,
I
F
=0 mA
I
E
=10
μ
A,
I
F
=0 mA
I
C
=10
μ
A,
I
F
=0 mA
V
CE
=10 V,
I
F
=0 mA
Emitter-Collector
7.0
Collector-Base
70
Leakage Current, Collector-Emitter
50
nA
Package
DC Current Transfer Ratio
MCT270
CTR
50
%
V
CE
=10 V,
I
F
=10 mA
MCT271
45
90
MCT272
75
150
MCT273
125
250
MCT274
225
400
MCT275
70
210
MCT276
15
60
MCT277
100
Current Transfer Ratio, Collector
Emitter
MCT271
276
CTR
CE
12.5
%
V
pF
μ
s
V
CE
=0.4 V,
I
F
=16 mA
MCT277
40
Collector
Emitter Saturation Voltage
V
CE
sat
C
IO
R
IO
t
ON
,
t
OFF
0.4
I
CE
=2.0 mA,
I
F
=16 mA
V
IO
=500 VDC
I
C
=2.0 mA,
R
L
=100
,
V
CE
=5.0 V
Capacitance, Input to Output
0.5
10
12
Resistance, Input to Output
Switching Time
MCT270/272
10
MCT271
7.0
MCT273
20
MCT274
25
MCT275/277
15
MCT276
3.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11A5S GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11A5SV GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11A5T Low-Distortion High-Speed Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
H11A5V GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11A5SR2 GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
H11A5S(TA) 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11A5S(TA)-V 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11A5S(TB) 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11A5S(TB)-V 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11A5S1(TA) 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk