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HFIELDEV

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人：朱平

    電話：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 8000

  • MICROCHIP/微芯

  • Analog

  • 21+

  • -

  • 百分百進口原裝現貨，價格有優(yōu)勢。

  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯系人：銷售部經理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Microchip Technology

  • 標準封裝

  • 23+

  • -

  • 真實的資源竭誠服務您！

  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Microchip Technology

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 百分百原裝 假一罰十

  • HFIELDEV
    HFIELDEV

    HFIELDEV

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 8000

  • Mrochip

  • Analog

  • 16+

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
HFIELDEV PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 磁傳感器開發(fā)工具 Magnetic Field Noise Brd
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Maxim Integrated
  • 工具用于評估
  • 接口類型
  • 工作電壓
HFIELDEV 技術參數
  • HFI-201209-R15J 功能描述:150nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:150nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:13 @ 50MHz 頻率 - 自諧振:500MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm） 標準包裝:10 HFI-201209-R10J 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI-201209 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:900 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:18 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:600MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm） 標準包裝:10 HFI-201209-3N9J 功能描述:3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:多層 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:3.9nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:12 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.047" 寬（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm） 標準包裝:10 HFI-201209-2N2S 功能描述:2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:2.2nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm） 標準包裝:10 HFI-201209-1N8S 功能描述:1.8nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:1.8nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.043"（1.10mm） 標準包裝:10 HFMD18105 HFMD1884 HFMD1885 HFMD20105 HFMD20106 HFMD2085 HFMD2086 HFMD2088 HFMD22105 HFMD2286 HFMDT18164 HFMDT18165 HFMDT18184 HFMDT18185 HFMDT18186 HFMDT20165 HFMDT20166 HFMDT20168
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