參數(shù)資料
型號(hào)： GTT3434
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 322K
代理商： GTT3434
GTT3434
Page: 2/4
ISSUED DATE :2006/10/31
REVISED DATE :
Electrical Characteristics (Tj = 25 :::: unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
30
-
V
VGS=0, ID=250uA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
0.6
-
V
VDS=VGS, ID=1mA
Forward Transconductance
gfs
-
20
-
S
VDS=10V, ID=6.1A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
±100
nA
VGS= ±12V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 )
:
-
1
uA
VDS=30V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 )
:
IDSS
-
5
uA
VDS=24V, VGS=0
-
34
VGS=4.5V, ID=6.1A
Static Drain-Source On-Resistance2
RDS(ON)
-
50
m
VGS=2.5V, ID=2.0A
Total Gate Charge2
Qg
-
8
12
Gate-Source Charge
Qgs
-
1.9
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
2.6
-
nC
ID=6.1A
VDS=15V
VGS=4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
21
-
Rise Time
Tr
-
45
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
40
-
Fall Time
Tf
-
30
-
ns
VDS=15V
ID=1A
VGS=4.5V
RG=6
RL=15
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
1.2
V
IS=1.7A, VGS=0V
Reverse Recovery Time2
Trr
-
40
-
ns
IS=1.7A, dI/dt=100A/ s
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board, t 5sec; 180 /W when mounted on Min. copper pad.
:
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PDF描述
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GTT35A-TPR-BLM-B0-H1-CT-V5 功能描述:Resistive Graphic LCD Display Module Transmissive Red, Green, Blue (RGB) TFT - Color I2C, TTL 3.5" (88.90mm) 320 x 240 (QVGA) 制造商:matrix orbital 系列:GTT35A 零件狀態(tài):有效 顯示類型:TFT - 彩色 顯示模式:可傳導(dǎo)的 觸摸屏:電阻 屏幕對(duì)角線尺寸:3.5"（88.90mm） 可視范圍:72.68mm 寬 x 54.96mm 高 背光:LED - 白 點(diǎn)像素:320 x 240（QVGA） 接口:I2C，TTL 圖形顏色:紅，綠，藍(lán)（RGB） 背景顏色:- 點(diǎn)尺寸:- 點(diǎn)間距:0.22mm 寬 x 0.22mm 高 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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