參數(shù)資料
型號： GTS9926
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 353K
代理商： GTS9926
GTS9926
Page: 1/4
ISSUED DATE :2006/05/08
REVISED DATE :2006/07/27B
G
G T
T S
S 99992266
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GTS9926 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Low drive current
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
-
1.20
E
6.20
6.60
A1
0.05
0.15
E1
4.30
4.50
b
0.19
0.30
e
0.65 BSC
c
0.09
0.20
L
0.45
0.75
D
2.90
3.10
S
0°
8°
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
20
V
Gate-Source Voltage
VGS
±12
V
Drain Current3 ,VGS@4.5V
ID @Ta=25 :
6
A
Drain Current3 ,VGS@4.5V
ID @Ta=70 :
4.8
A
Pulsed Drain Current1,
IDM
20
A
Power Dissipation
PD @Ta=25 :
1
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Linear Derating Factor
0.008
W/ :
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Rthj-a
125
: /W
BVDSS
20V
RDS(ON)
28m
ID
6A
Pb Free Plating Product
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GTT2602 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GTT2603 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GTT2604 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GTT3585 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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