| 型號(hào): | GT8G133 |
| 元件分類(lèi): | 開(kāi)關(guān) |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件頁(yè)數(shù): | 3/7頁(yè) |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | GT8G133 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GN1L4M-T2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GS8550TD/E6 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GT20J301 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GN1A4ZM68 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| GN1L3ZM37-T2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GT8G133(TE12L,Q) | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| GT8G134 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
| GT8G134(TE12L,Q) | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| GT8G136 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
| GT8G151,LQ(O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IGBT N-ch 400V 150A 2.5V TSON8 |