參數(shù)資料
型號(hào)： GT30J322
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： LEAD FREE, 2-16F1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 415K
代理商： GT30J322
GT30J322
2010-08-06
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Gate Leakage Current
IGES
VGE = ±20V, VCE = 0
―
±500
nA
Collector CutOff Current
ICES
VCE = 600V, VGE = 0
―
1.0
mA
GateEmitter CutOff Voltage
VGE (OFF)
IC = 50mA, VCE = 5V
3.0
―
6.0
V
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE (sat)
IC = 50A, VGE = 15V
―
2.1
2.8
V
Input Capacitance
Cies
VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
―
2500
―
pF
Rise Time
tr
―
0.20
―
TurnOn Time
ton
―
0.30
―
Fall Time
tf
―
0.25
0.40
Switching Time
TurnOff Time
toff
―
0.40
―
μs
Peak Forward Voltage
VF
IF = 30A, VGE = 0
―
2.0
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 30A, VGE = 0
di / dt = 100A / μs
―
0.2
μs
Thermal Resistance (IGBT)
Rth (jc)
―
1.67
°C / W
Thermal Resistance (Diode)
Rth (jc)
―
2.27
°C / W
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