型號: | GT15N101 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | TO-247VAR |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五(巴西)國際消費電子展|第15A一(c)|至247VAR |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 119K |
代理商: | GT15N101 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
GT15T-2S | HID Lamp DII Sockets |
GT15B-SC-K | HID Lamp DII Sockets |
GT15A-2024SCF | HID Lamp DII Sockets |
GT15B-3S | HID Lamp DII Sockets |
GT15B-3S-F | HID Lamp DII Sockets |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
GT15Q101 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin (3+Tab) TO-3PN Bulk |
GT15Q102 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 15A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IGBT 1200V TO-3P(N) |
GT15Q102(Q) | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V/15A DIS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
GT15Q102_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
GT15Q301 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 15A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IGBT 1200V TO-3P(N) |