參數(shù)資料
型號: GT15J103(SM)
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-252VAR
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展|第15A一(c)|至252VAR
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 135K
代理商: GT15J103(SM)
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GT15J311(SM) TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-263AB
GT15N101 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | TO-247VAR
GT15T-2S HID Lamp DII Sockets
GT15B-SC-K HID Lamp DII Sockets
GT15A-2024SCF HID Lamp DII Sockets
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GT15J121 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT15J301 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 15A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IGBT 600V TO-220NIS
GT15J301(Q) 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
GT15J301_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
GT15J311 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL/SM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 15A 3PIN TO-220SM - Rail/Tube