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參數(shù)資料
| 型號： | GSMBT5401 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 207K |
| 代理商： | GSMBT5401 |
GSMBT5401
Page: 1/2
ISSUED DATE :2005/08/31
REVISED DATE :
G
G S
S M
M B
B T
T 55440011
P
P N
N P
P E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSMBT5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
&High Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCEO=-150V @ IC=-1mA)
&Complementary to GSMBT5551
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
-160
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-150
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-600
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-160
-
V
IC=-100uA , IE=0
BVCEO
-150
-
V
IC=-1mA, IB=0
BVEBO
-5
-
V
IE=-10uA ,IC=0
ICBO
-
-50
nA
VCB=-120V, IE=0
*VCE(sat)1
-
-200
mV
IC=-10mA, IB=-1mA
*VCE(sat)2
-
-500
mV
IC=-50mA, IB=-5mA
*VBE(sat)1
-
-1
V
IC=-10mA, IB=-1mA
*VBE(sat)2
-
-1
V
IC=-50mA, IB=-5mA
*hFE1
50
-
VCE=-5V, IC=-1mA
*hFE2
60
-
240
VCE=-5V, IC=-10mA
*hFE3
50
-
VCE=-5V, IC=-50mA
fT
100
-
300
MHz
VCE=-10V, IC=-10mA, f=100MHz
Cob
-
6
pF
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSMBT5551 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBT8050 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT8550 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9012 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9013 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GSMBT5551 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBT8050 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT8550 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9012 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9013 | 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
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