參數(shù)資料
型號: GSM31P512KB-I66
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 512KB Secondary Cache Module Designed For Use With Intel Pen-tium CPU based system(用于英特爾奔騰處理器系統(tǒng)的512KB二級高速緩沖存儲器)
中文描述: 64K X 64 CACHE TAG SRAM MODULE, DMA160
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 51K
代理商: GSM31P512KB-I66
GSI Technology
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09/15/97
256KB / 512KB Modules
Absolute Maximum Ratings
GSM31P256KB-I66
GSM31P512KB-I66
COASt 3.1
Specification
GSI TECHNOLOGY
GSM31P256KB-I66
GSM31P512KB-I66
Recommended Operating Conditions
Capacitance
Note: These parameters are guaranteed by design, but not tested.
DC Electrical Characteristics Over the Operating Range
Parameter
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage
3.3V Vcc Pins
5.0V Vcc Pins
Vcc3
Vcc5
-0.5 to +4.6
-0.5 to 6.0
V
V
o
C
o
C
Operating Temperature
Storage Temperature
Ta
Ts
0 to +70
-55 to +125
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply Voltage
3.3V Vcc Pins
5.0V Vcc Pins
Vcc3
Vcc5
3.135
4.75
3.3
5.0
3.6
5.25
V
V
o
C
o
C
Operating Temperature
Input High Voltage
Ta
Vih
0
-
-
+70
2.0
Vcc+0.3
Input Low Voltage
Vil
-0.3
-
0.8
Parameter
Symbol
Max
Unit
Address Input Capacitance
Control Signal Input Capacitance
CIN1
CIN2
20
10
pF
pF
TAG Input Capacitance
CIN3
10
pF
Output Enable Capacitance
Data I/O Capacitance
CIN4
CI/O
15
10
pF
pF
Parameter
Test Condition
Symbol
Min
Max
±
20
±
20
-
Unit
Input Leakage Current (Data & Control)
Output Leakage Current (Data & Control) VOUT=0 to Vcc3, CS
VIH
Output High Voltage
VIN=0 to Vcc3
ILI
-
uA
IOUT
VOH
-
uA
V
IOH=-4.0mA
2.4
Output Low Voltage
IOL=8.0mA
VOL
-
0.4
V
Operating Supply Current, 5V Power
Vcc5=Max, IOUT=0mA,
f=Max
Vcc3=Max, IOUT=0mA,
f=Max
Vcc=Max, CS
VIH, f=max
Vcc=Max, CS
Vcc3-0.2,
f=0MHz, VIN>Vcc3-0.2 or
VIN<0.2
Icc5
-
180
mA
Operating Supply Current, 3.3V Power
Icc3
-
500
mA
AC Standby Supply Current, 3.3V Power
ISB3
-
80
mA
Full CMOS Standby Current
ISB31
-
40
mA
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