參數(shù)資料
型號： GSD1624
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 瑞展晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 550K
代理商： GSD1624
1/3
G
G S
S D
D 11662244
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L P
P L
L A
A N
N A
A R
R S
S II L
L II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION
Description
The GSD1624 applies to voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, and electrical equipment .
FEATURES
*Adoption of FBET, MBIT processes
*Low collector-to-emitter saturation voltage
*Fast switching speed
*Large current capacity and wide ASO
Package Dimension
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.4
4.6
G
3.00 REF.
B
4.05
4.25
H
1.50 REF.
C
1.50
1.70
I
0.40
0.52
D
1.30
1.50
J
1.40
1.60
E
2.40
2.60
K
0.35
0.41
F
0.89
1.20
L
5 q TYP.
M
0.70 REF.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25 : ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current (DC)
IC
3
A
Collector Current (PULSE)(note1)
IC
6
A
Total Power Dissipation
PD
0.5
W
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Note 1:Single pulse,PW=10ms
ELECTRICAL Characteristics (Ta=25 : ,unless otherwise specified)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
V(BR)CBO
60
-
V
IC=10uA ,IE=0
V(BR)CEO
50
-
V
IC=1mA,RBE=
V(BR)EBO
6
-
V
IE=10uA,Ic=0
ICBO
-
1
uA
VCB=40V
IEBO
-
1
uA
VEB=4V
VCE(sat)
-
0.19
0.5
V
IC=2A, IB=100mA
VBE(sat)
-
0.94
1.2
V
IC=2A, IB=100mA
hFE
100
-
560
-
VCE=2V, IC=0.1A
fT
-
150
-
MHz
VCE=10V, Ic=50mA
Cob
-
25
-
pF
VCB=10V, f=1MHz
tstg
-
650
-
ns
See test circuit
tf
-
35
-
ns
See test circuit
相關PDF資料
PDF描述
GSD2004SW Small Signal Diodes(小信號二極管)
GSD2004S Small Signal Diodes(小信號二極管)
GSD2656 NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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