參數(shù)資料
型號(hào)： GS88236AB-133
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝： PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 9/38頁
文件大?。?/td> 1065K
代理商： GS88236AB-133
GS88218/36AB/D-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 11/2004
17/38
2001, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
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PDF描述
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