參數(shù)資料
型號： GS881E32AD-200IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 256K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)： 30/36頁
文件大?。?/td> 913K
代理商： GS881E32AD-200IT
GS881E18(T/D)/GS881E32A(D)/GS881E36A(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 3/2005
36/36
2001, GSI Technology
9Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
881E18A_r1
Creation of new datasheet
881E18A_r1;
881E18A_r1_01
Content
Updated AC Characteristics table
Updated FT power numbers
Updated Mb references from 8Mb to 9Mb
Removed ByteSafe references
Changed DP pin to NC
Updated ZZ recovery time diagram
Added E2 to pinout (pin 97) and pin description table
Updated AC Test Conditions table and removed Output Load
2 diagram
881E18A_r1_01;
881E18A_r1_02
Content
Removed Preliminary banner
Removed pin locations from pin description table
Removed BSR table
881E18A_r1_02;
881E18A_r1_03
Format/Content
Updated format
Updated timing diagrams
Updated mechanical drawings
881E18A_r1_03;
881E18A_r1_04
Content
Added 165 BGA information
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS881E32AD-200T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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GS881E32AD-225I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-225IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS881E32AD-225T 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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