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  • 參數(shù)資料
    型號: GS881E18BT-200IV
    廠商: GSI TECHNOLOGY
    元件分類: DRAM
    英文描述: 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
    中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
    封裝: TQFP-100
    文件頁數(shù): 31/36頁
    文件大?。?/td> 771K
    代理商: GS881E18BT-200IV
    GS881E18/32/36B(T/D)-xxxV
    Rev: 1.00 6/2006
    Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
    31/36
    2006, GSI Technology
    TQFP Package Drawing (Package T)
    D
    D
    E1
    E
    P
    b
    e
    c
    L
    L1
    A2
    A1
    Y
    θ
    Notes:
    1.
    2.
    All dimensions are in millimeters (mm).
    Package width and length do not include mold protrusion.
    Symbol
    Description
    Min.
    Nom.
    Max
    A1
    Standoff
    0.05
    0.10
    0.15
    A2
    Body Thickness
    1.35
    1.40
    1.45
    b
    Lead Width
    0.20
    0.30
    0.40
    c
    Lead Thickness
    0.09
    0.20
    D
    Terminal Dimension
    21.9
    22.0
    22.1
    D1
    Package Body
    19.9
    20.0
    20.1
    E
    Terminal Dimension
    15.9
    16.0
    16.1
    E1
    Package Body
    13.9
    14.0
    14.1
    e
    Lead Pitch
    0.65
    L
    Foot Length
    0.45
    0.60
    0.75
    L1
    Lead Length
    1.00
    Y
    Coplanarity
    0.10
    θ
    Lead Angle
    0
    °
    7
    °
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    GS881E18BT-200V 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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