AV免费观看精品,乱换玩3p视频在线视频,粉嫩虎白女在线观看中国女

您好，
買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)歡迎您。
請(qǐng)登錄
免費(fèi)注冊(cè)

您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄173639 > GS88136BD-333I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載

參數(shù)資料

型號(hào)：	GS88136BD-333I
廠商：	GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)：	SRAM
英文描述：	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述：	256K X 36 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA165
封裝：	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)：	13/38頁(yè)
文件大?。?/td>	1304K
代理商：	GS88136BD-333I

GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)

Rev: 1.06a 2/2008

20/38

2002, GSI Technology

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

Notes:

1. These parameters are sampled and are not 100% tested

2. ZZ is an asynchronous signal. However, In order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold

times as specified above.

AC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

-333

-300

-250

-200

-150

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Pipeline

Clock Cycle Time

tKC

3.0

—

3.3

—

4.0

—

5.0

—

6.7

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ1

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Setup time

tS

1.0

—

1.0

—

1.2

—

1.4

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.1

—

0.1

—

0.2

—

0.4

—

0.5

—

ns

Flow

Through

Clock Cycle Time

tKC

4.5

—

5.0

—

5.5

—

6.5

—

7.5

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

4.5

—

5.0

—

5.5

—

6.5

—

7.5

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ1

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

ns

Setup time

tS

1.3

—

1.4

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.3

—

0.4

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

ns

Clock HIGH Time

tKH

1.0

—

1.0

—

1.3

—

1.3

—

1.5

—

ns

Clock LOW Time

tKL

1.2

—

1.2

—

1.5

—

1.5

—

1.7

—

ns

Clock to Output in

High-Z

tHZ1

1.5

2.5

1.5

2.5

1.5

2.5

1.5

3.0

1.5

3.0

ns

G to Output Valid

tOE

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

G to output in Low-Z

tOLZ1

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

ns

G to output in High-Z

tOHZ1

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

ZZ setup time

tZZS2

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

ns

ZZ hold time

tZZH2

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

ns

ZZ recovery

tZZR

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

ns

Not

Recommended

for

New

Design

相關(guān)PDF資料	PDF描述
GS88136BGD-150	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-150I	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-200	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-200I	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136CD-333IT	256K X 36 CACHE SRAM, PBGA165

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
GS88136BGD-150	制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-150I	制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-150IV	制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-150V	制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-200	制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs

發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

*型號(hào)	*數(shù)量	廠商	批號(hào)	封裝

添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*

*

*

<pre id="aj5em"><span id="aj5em"></span></pre>

<blockquote id="aj5em"></blockquote>