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參數(shù)資料
| 型號： | GS88136BD-333 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 34/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 1304K |
| 代理商： | GS88136BD-333 |
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GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.06a 2/2008
5/38
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
A
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
I/O
Data Input and Output pins
NC
—
No Connect
BW
I
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
BA, BB, BC, BD
I
Byte Write Enable for DQA, DQB Data I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E1
I
Chip Enable; active low
E2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
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