- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383052 > GS88018AT-200 (Electronic Theatre Controls, Inc.) 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS88018AT-200 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 為512k × 18，256K × 32，256K × 36 9Mb以上同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 12/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 756K |
| 代理商： | GS88018AT-200 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁當(dāng)前第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
Rev: 1.02 9/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
12/26
2001, Giga Semiconductor, Inc.
GS88018/32/36AT-250/225/200/166/150/133
Power Supply Voltage Ranges
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
3.3 V Supply Voltage
V
DD3
3.0
3.3
3.6
V
2.5 V Supply Voltage
V
DD2
2.3
2.5
2.7
V
3.3 V V
DDQ
I/O Supply Voltage
V
DDQ3
3.0
3.3
3.6
V
2.5 V V
DDQ
I/O Supply Voltage
V
DDQ2
2.3
2.5
2.7
V
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifications quoted are
evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
2.
V
DDQ3
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
2.0
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.8
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
2.0
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.8
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifications quoted are
evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
V
DDQ2
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
0.6*V
DD
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
0.6*V
DD
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifications quoted are
evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88036AT-225I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88036AT-250 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88036AT-250I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88032AT-250I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88036AT-150 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88018AT-200I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88018AT-225 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88018AT-225I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88018AT-250 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88018AT-250I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。