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參數(shù)資料
| 型號： | GS8662D18E-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 6/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 896K |
| 代理商： | GS8662D18E-300 |
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Pin Description Table
Symbol
Description
Type
Comments
SA
Synchronous Address Inputs
Input
—
NC
No Connect
—
—
R
Synchronous Read
Input
Active Low
W
Synchronous Write
Input
Active Low
BW0–BW3
Synchronous Byte Writes
Input
Active Low
x9/x18/x36 only
NW0–NW1
Nybble Write Control Pin
Input
Active Low
x8 only
K
Input Clock
Input
Active High
K
Input Clock
Input
Active Low
C
Output Clock
Input
Active High
C
Output Clock
Input
Active Low
TMS
Test Mode Select
Input
—
TDI
Test Data Input
Input
—
TCK
Test Clock Input
Input
—
TDO
Test Data Output
Output
—
V
REF
HSTL Input Reference Voltage
Input
—
ZQ
Output Impedance Matching Input
Input
—
Qn
Synchronous Data Outputs
Output
Dn
Synchronous Data Inputs
Input
D
off
CQ
Disable DLL when low
Input
Active Low
Output Echo Clock
Output
—
CQ
Output Echo Clock
Output
—
V
DD
Power Supply
Supply
1.8 V Nominal
V
DDQ
Isolated Output Buffer Supply
Supply
1.5 or 1.8 V Nominal
V
SS
Power Supply: Ground
Supply
—
Preliminary
GS8662D08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 2/2006
6/29
2005, GSI Technology
Note:
NC = Not Connected to die or any other pin
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