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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8644V36B-166I |
| 廠(chǎng)商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 843K |
| 代理商： | GS8644V36B-166I |
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Product Preview
GS8644V18(B/E)/GS8644V36(B/E)/GS8644V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
18/40
2003, GSI Technology
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
= 2.5 V)
Note:
These parameters are sample tested.
V
DDQ
Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
V
DD
Input High Voltage
V
IH
0.6*V
DD
—
V
DD
+ 0.3
V
1
V
DD
Input Low Voltage
V
IL
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1
V
DDQ
I/O Input High Voltage
V
IHQ
0.6*V
DD
—
V
DDQ
+ 0.3
V
1,3
V
DDQ
I/O Input Low Voltage
V
ILQ
–
0.3
—
0.3*V
DD
V
1,3
Notes:
1.
The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
V
IHQ
(max) is voltage on V
DDQ
pins plus 0.3 V.
2.
3.
Parameter
Symbol
C
IN
C
I/O
Test conditions
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
8
10
pF
Input/Output Capacitance
12
14
pF
20% tKC
V
SS
–
2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 2.0 V
50%
V
DD
V
IL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8644V36B-200 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-200I | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-225 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-225I | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-250 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8644V36B-200 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-200I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-225 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-225I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-250 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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