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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840E18GB-180 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 10/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 629K |
| 代理商： | GS840E18GB-180 |
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Rev: 2.05 6/2000
18/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
Operating Currents
Parameter Test Conditions Symbol
-180
-166
-150
-100
0 to
70°C
-40 to
85°C
0 to
70°C
-40 to
85°C
0 to
70°C
-40 to
85°C
0 to
70°C
-40 to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
IDD
Pipeline
330mA 340mA 310mA 320mA 275mA 285mA 190mA 200mA
IDD
Flow-Thru
190mA 200mA 190mA 200mA 190mA 200mA 140mA 150mA
Standby
Current
ZZ
≥ VDD - 0.2V
ISB
Pipeline
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
ISB
Flow-Thru
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
IDD
Pipeline
120mA 130mA 110mA 120mA 105mA 115mA 80mA
90mA
IDD
Flow-Thru
80mA
90mA
80mA
90mA
80mA
90mA
65mA
75mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8641E18F-200IT | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS8641Z18GF-167T | 4M X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165 |
| GS8642V18E-250 | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8642ZV36GB-167IT | 2M X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| GS864418GE-225IV | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS840E18T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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