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參數資料
| 型號： | GS840E18A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（256 × 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（256 × 18位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數器）） |
| 文件頁數： | 22/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 941K |
| 代理商： | GS840E18A |
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Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
22/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
WR1
RD2
Q1a
D1a
Q2a
Q2b
Q2c
Q2d
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQ
A
–DQ
D
B
A
–B
D
A0–An
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2a
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
tH
tH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| GS840E18AB-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18AB-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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