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參數(shù)資料
| 型號： | GS820E32Q-6 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Synchronous Burst SRAM |
| 中文描述： | 200萬同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 21/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 345K |
| 代理商： | GS820E32Q-6 |
Rev: 1.03 2/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
21/23
1999, Giga Semconductor, Inc.
D
GS820E32T/Q-150/138/133/117/100/66
TQFPand QFP Package Drawing
D
D
E1
E
P
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1.
2.
All dimensions are in mllimeters (mm).
Package width and length do not include mold protrusion
TQFP
Nom
0.10
1.40
0.30
QFP
Nom
0.35
2.72
0.30
0.15
23.2
20.0
17.2
14.0
0.65
0.80
1.60
Symbol
A1
A2
b
c
D
D1
E
E1
e
L
L1
Y
θ
Description
Standoff
Body Thickness
Lead Width
Lead Thickness
Termnal Dimension
Package Body
Termnal Dimension
Package Body
Lead Pitch
Foot Length
Lead Length
Coplanarity
Lead Angle
Mn.
0.05
1.35
0.20
0.09
21.9
19.9
15.9
13.9
Max
0.15
1.45
0.40
0.20
22.1
20.1
16.1
14.1
Mn.
0.25
2.55
0.20
0.10
22.95
19.9
17.0
13.9
Max
0.45
2.90
0.40
0.20
23.45
20.1
17.4
14.1
22.0
20.0
16.0
14.0
0.65
0.60
1.00
0.45
0.75
.60
1.00
0.10
7
°
0.10
7
°
0
°
0
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS820E32Q-66 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-6I | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-100 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-117 | 2M Synchronous Burst SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820E32Q-66 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-6I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-117 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
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