參數(shù)資料
型號(hào)： GS82032Q100I
英文描述： x32 Fast Synchronous SRAM
中文描述： X32號(hào)，快速同步SRAM
文件頁數(shù)： 11/23頁
文件大?。?/td> 649K
代理商： GS82032Q100I
Rev: 1.08 2/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
11/23
2000, Giga Semiconductor, Inc.
GS82032AT/Q-200/180/166/133/100
AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
3.
4.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
Device is deselected as defined by the Truth Table.
Parameter
Conditions
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
INZZ
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
= –4 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
= –4 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 4 mA
–1 uA
–1 uA
1 uA
300 uA
Mode Pin Input Current
I
INM
–300 uA
–1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
V
OH
V
OL
1.7 V
Output High Voltage
2.4 V
Output Low Voltage
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF
*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS82032Q117 x32 Fast Synchronous SRAM
GS82032Q117I x32 Fast Synchronous SRAM
GS82032Q66 x32 Fast Synchronous SRAM
GS82032Q66I x32 Fast Synchronous SRAM
GS82032T100 x32 Fast Synchronous SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS82032Q117 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM
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