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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS82032 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 2MB的（64K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（200萬位（64K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 16/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 344K |
| 代理商： | GS82032 |
Rev: 1.03 2/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
16/23
1999, Giga Semconductor, Inc.
D
GS82032T/Q-150/138/133/117/100/66
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
WR1
RD2
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2
C
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQ
A
- DQ
D
B
A
- B
D
A0-An
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2
A
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E3
tH
tH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS820E32A | 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS820E32T-6I | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-100 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-117 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-133 | 2M Synchronous Burst SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820322T-138 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032AGQ-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:2MB (64K X 32) SYNCH BURST SCD - Trays |
| GS82032AGQ-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:2MB (64K X 32) SYNCH BURST SCD - Trays |
| GS82032AGQ-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:2MB (64K X 32) SYNCH BURST SCD - Trays |
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