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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8170DD36C-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 STANDARD SRAM, 2.1 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 13/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 537K |
| 代理商： | GS8170DD36C-200 |
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GS8170DD36C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.03 1/2005
13/29
2002, GSI Technology, Inc.
Common I/O State Diagram
X,F,0,X or X,X,1,X
Notes:
1.
2.
3.
The notation “X,X,X,X” controlling the state transitions above indicate the states of inputs E1, E, ADV, and W respectively.
If (E2 = EP2 and E3 = EP3) then E = “T” else E = “F”.
“1” = input “high”; “0” = input “l(fā)ow”; “X” = input “don’t care”; “T” = input “true”; “F” = input “false”.
Deselect
Bank
Deselect
Read
Read
Continue
Write
Write
Continue
X,F,0,X
1,T,0,X
X,F,0,X
1,T,0,X
1,T,0,X
X,F,0,X
1,T,0,X
1,T,0,X or X,X,1,X
0,T,0,0
0,T,0,1
0,T,0,0
0,T,0,1
X,F,0,X
X,F,0,X
0,T,0,0
0,T,0,1
X,X,1,X
X,X,1,X
0,T,0,0
0,T,0,1
1,T,0,X
0,T,0,0
0,T,0,1
X,X,1,X
X,X,1,X
0,T,0,1
0,T,0,0
Clock (CK)
Command
Current State
Next State
Current State & Next State Definition for Read
/Write Control State Diagram
Current State (n)
Next State (n + 1)
Transition
Input Command Code
Key
n
n+1
n+2
n+3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DD36C-200I | 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM |
| GS8170DD36C-250 | 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM |
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| GS8170DD36C-300 | 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM |
| GS8170DD36C-300I | 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS8170DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
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