- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383032 > GS816272 (GSI TECHNOLOGY) 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816272 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| 中文描述： | 16Mb的（256 × 72Bit）的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（256 × 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | GS816272 |
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Rev: 2.10 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/38
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816218/36/72B-225/200/180/166/150/133
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tStH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2
C
& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
Write Cycle Timing
E
1
tS tH
E
1
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
G
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
Hi-Z
tS tH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162Z18BGB-200I | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8162Z18BB | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8162Z18BB-150 | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS816272CC-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 7.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS816272CC-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V/2.5V 18MBIT 256KX72 7.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
| GS816272CC-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V/2.5V 18MBIT 256KX72 7.5NS/3.8NS 209FBGA - Trays |
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