參數(shù)資料
型號(hào)： GS8161V36CD-333
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 16/28頁(yè)
文件大?。?/td> 584K
代理商： GS8161V36CD-333
GS8161V18/36CD-333/300/250
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 2/2005
16/28
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing
Begin
Read A
Cont
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
Burst Read
tKL
tKC
tKH
Single Write
Single Read
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Deselected with E1
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8161V36CD-333I 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V36CGD-250 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V36CGD-250I 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V36CGD-300 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V36CGD-300I 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8161V36CD-333I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V36CGD-250 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
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GS8161V36CGD-300 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V36CGD-300I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
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