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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161V18CD |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 100萬× 18和為512k × 36 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | GS8161V18CD |
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GS8161V18/36CD-333/300/250
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 2/2005
4/28
2004, GSI Technology
GS8161V18/36CD 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Must Connect Low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161V18CD-250 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-250I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-300 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-300I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-333 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161V18CD-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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