參數(shù)資料
型號(hào)： GS8161E36BT-150IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 4/35頁(yè)
文件大?。?/td> 779K
代理商： GS8161E36BT-150IV
TQFP Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
NC
BW
B
A
, B
B,
B
C
, B
D
CK
GW
E
1
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
TMS
TDI
TDO
TCK
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
I
I
No Connect
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Scan Test Mode Select
Scan Test Data In
Scan Test Data Out
Scan Test Clock
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
Scan Test Clock
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
4/35
2004, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS8161V18CD 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V18CD-250 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V18CD-250I 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
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