參數(shù)資料
型號(hào)： GS8161E36BGT-250V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100
封裝： ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 20/35頁(yè)
文件大?。?/td> 779K
代理商： GS8161E36BGT-250V
GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
20/35
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8161E36BT-150IV 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
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GS8161V18CD 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161V18CD-250 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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