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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161E36BGT-150IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/35頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 779K |
| 代理商： | GS8161E36BGT-150IV |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
29/35
2004, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
TCK Cycle Time
TCK Low to TDO Valid
TCK High Pulse Width
TCK Low Pulse Width
TDI & TMS Set Up Time
TDI & TMS Hold Time
Symbol
tTKC
tTKQ
tTKH
tTKL
tTS
tTH
Min
50
—
20
20
10
10
Max
—
20
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E36BGT-150V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BGT-200IV | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BGT-200V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8161E36BGT-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
| GS8161E36BGT-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
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