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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161E36BGD-200IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 20/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 779K |
| 代理商： | GS8161E36BGD-200IV |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
20/35
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E36BGD-200V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BGD-250IV | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BGD-250V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BGT-150IV | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BGT-150V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161E36BGD-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E36BGD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E36BGD-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E36BGD-250IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 5.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E36BGD-250V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 5.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
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