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參數(shù)資料
| 型號： | GS816032T-200 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816032T-200 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
TQFP Pin Description
Pin Location
37, 36
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45, 46,
47, 48, 49, 50, 43, 42
80
63, 62, 59, 58, 57, 56, 53, 52
68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79
13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2
18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29
A
2
–
A
18
I
Address Inputs
A
19
I
Address Inputs (x18 versions)
DQ
A1
–
DQ
A8
DQ
B1
–
DQ
B8
DQ
C1
–
DQ
C8
DQ
D1
–
DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
NC
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
I/O
Data Input and Output pins (x32, x36 Version)
51, 80, 1, 30
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
51, 80, 1, 30
No Connect (x32 Version)
58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73, 74
8, 9, 12, 13, 18, 19, 22, 23, 24
51, 52, 53, 56, 57
75, 78, 79, 95, 96,
1, 2, 3, 6, 7,
25, 28, 29, 30
87
93, 94
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
NC
—
No Connect (x18 Version)
BW
B
A
, B
B
I
I
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
Data I/Os; active low
(x32, x36 Version)
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
95, 96
B
C
, B
D
I
89
88
CK
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
98, 92
97
86
83
84, 85
64
14
31
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
15, 41, 65, 91
I
Core power supply
5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90
I
I/O and Core Ground
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
I
Output driver power supply
16, 38, 39, 66
—
No Connect
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816032T-200I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032T-225 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 50V; Case Size: 12.5x25 mm; Packaging: Bulk |
| GS816032T-225I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS816032T-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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