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參數(shù)資料
| 型號： | GS816018T-225 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Bi-Polar Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 25V; Case Size: 6.3x11 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 100萬× 18，512k × 32的，為512k × 36 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 810K |
| 代理商： | GS816018T-225 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
GS816036 100-Pin TQFP Pinout
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816018T-225I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036T-166I | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-SOIC 0 to 70 |
| GS816036T-200 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036T-200I | Quad 2-input positive-NAND buffers with open collector outputs 14-PDIP 0 to 70 |
| GS816036T-225 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816018T-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816018T-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816032BGT-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX32 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
| GS816032BGT-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX32 7.5NS/3.8NS 100TQFP - Trays |
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