參數(shù)資料
型號： GS815236
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
中文描述： 16Mb的（為512k × 36Bit）的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（1,600位（為512k × 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器））
文件頁數(shù)： 33/38頁
文件大小： 824K
代理商： GS815236
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
33/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
GS815218/36B BGA Boundary Scan Register
Note:
1.
2.
3.
The Boundary Scan Register contains a number of registers that are not connected to any pin. They default to the value shown at reset.
Registers are listed in exit order (i.e. Location 1 is the first out of the TDO pin.
NC = No Connect, NA = Not Active
O
1
2
3
4
5
6
7
8
9
x36
x18
Bump
x36 x18
7R
n/a
3T
4T
5T
6R
5C
5B
6C
PE
PH = 0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
3T
2T
10
x36 =
DQ
A9
x32 = NA = 0
DQ
A8
DQ
A7
DQ
A6
DQ
A5
DQ
A4
DQ
A3
DQ
A2
DQ
A1
NC = 1
6P
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
NC = 1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
DQ
A1
DQ
A2
DQ
A3
DQ
A4
7N
6M
7L
6K
7P
6N
6L
7K
7T
5J
6H
7G
6F
7E
ZZ
QE
DQ
B1
DQ
B2
DQ
B3
DQ
B4
DQ
A5
DQ
A6
DQ
A7
DQ
A8
x
18 =
DQ
A9
x16 = NA = 0
NC = 1
NC = 1
NC = 1
25
DQ
B5
7H
6D
26
27
28
DQ
B6
DQ
B7
DQ
B8
6G
6E
7D
29
x36 = DQ
B9
x32 = NA = 0
A
19
6D
6T
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
A
9
A
8
ADV
ADSP
ADSC
G
BW
GW
CK
PH = 1
PH = 0
A
17
6A
5A
4G
4A
4B
4F
4M
4H
4K
n/a
n/a
6B
5L
B
A
B
B
B
C
B
D
B
A
B
B
5G 3G
3G 5G
3L
2B
4E
3A
2A
NC = 1
NC = 1
A
18
E
1
A
7
A
6
50
x36 =
DQ
C9
x32 = NA = 0
DQ
C8
DQ
C7
DQ
C6
DQ
C5
DQ
C4
DQ
C3
DQ
C2
NC = 1
2D
51
52
53
54
55
56
57
NC = 1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
DQ
B1
DQ
B2
DQ
B3
1E
2F
1G
2H
1D
2E
2G
O
x36
x18
Bump
x36 x18
58
59
60
61
62
63
64
65
DQ
C1
DQ
B4
1H
5R
3J
4L
2K
1L
2M
1N
FT
DP
SCD
DQ
D1
DQ
D2
DQ
D3
DQ
D4
DQ
B5
DQ
B6
DQ
B7
DQ
B8
66
DQ
D5
x18 =
DQ
B9
x16 = NA = 0
NC = 1
NC = 1
NC = 1
1K
2P
67
68
69
DQ
D6
DQ
D7
DQ
D8
2L
2N
1P
70
x36 =
DQ
D9
x32 = NA = 0
NC = 1
2P
1K
71
72
73
74
75
76
77
78
LBO
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
ZQ
3R
2C
3B
3C
2R
4N
4P
4D
BPR 1999.12.10
O
x36
x18
Bump
x36 x18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS815272 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
GS8152Z18 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS8152Z36 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS8152Z72 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS816018 16Mb（1M x 18Bit）Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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