- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383019 > GS8151Z36 (GSI TECHNOLOGY) 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8151Z36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水線和流量，通過同步唑的SRAM（1,600位流水線式和流通型同步唑靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 17/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 683K |
| 代理商： | GS8151Z36 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當(dāng)前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
Rev: 1.01 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
17/27
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8151Z18/36T-225/200/180/166/150/133
AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
3.
4.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
Device is deselected as defined by the Truth Table.
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
INZZ
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
= –4 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
= –4 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 4 mA
–1 uA
–1 uA
1 uA
300 uA
Mode Pin Input Current
I
INM
–300 uA
–1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
V
OH
V
OL
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF
*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS815218 | 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS815236 | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS815272 | 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS8152Z18 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS8152Z36 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS815V018AB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays |
| GS815V018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays |
| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。