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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS71108TP-15I |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | GS71108TP-15I |
Rev: 1.02 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
4/15
2001, Giga Semiconductor, Inc.
GS71108ATP/J/SJ/U
Notes
:
1.
2.
Tested at T
A
= 25°C, f = 1 MHz
These parameters are sampled and are not 100% tested.
Power Supply Currents
Capacitance
Parameter
Symbol
Test Condition
Max
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
7
pF
DC I/O Pin Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage
Current
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
Output Leakage
Current
I
LO
Output High Z
V
OUT
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
I
OH
=
–
4 mA
2.4
—
Output Low Voltage
V
OL
I
LO
= +4 mA
—
0.4 V
Parameter
Symbol
Test Conditions
0 to 70°C
–40 to 85°C
6 ns
8 ns
10 ns
12 ns
6 ns
8 ns
10 ns
12 ns
Operating
Supply
Current
I
DD
CE
≤
V
IL
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
Min. cycle time
I
OUT
= 0 mA
155 mA
115 mA
95 mA
80 mA
160 mA
120 mA
100 mA
85 mA
Standby
Current
I
SB1
CE
≥
V
IH
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
Min. cycle time
25 mA
20 mA
20 mA
15 mA
30 mA
25 mA
25 mA
20 mA
Standby
Current
I
SB2
CE
≥
V
DD
– 0.2 V
All other inputs
≥
V
DD
– 0.2 V or
≤
0.2 V
2 mA
5 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS71108AJ-10T | x8 SRAM |
| GS71108AJ-12IT | x8 SRAM |
| GS71108AJ-12T | x8 SRAM |
| GS71108AJ-8IT | x8 SRAM |
| GS71108AJ-8T | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS71108U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
| GS71108U-10 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
| GS71108U-10I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
| GS71108U-12 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
| GS71108U-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:128K x 8 1Mb Asynchronous SRAM |
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