參數(shù)資料
型號(hào)： GP2030S
廠商： GTM CORPORATION
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 537K
代理商： GP2030S
GP2030S
Page: 2/7
ISSUED DATE :2005/08/10
REVISED DATE :
N-Channel Electrical Characteristics(Tj = 25
Unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
20
-
V
VGS=0, ID=250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
-
V/ :
Reference to 25 : , ID=1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
0.5
-
1.2
V
VDS=VGS, ID=250uA
Forward Transconductance
gfs
-
3.6
-
S
VDS=5V, ID=2.6A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
D100
nA
VGS= D12V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 : )
-
1
uA
VDS=20V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=150 : )
IDSS
-
25
uA
VDS=16V, VGS=0
-
60
VGS=4.5V, ID=2.6A
Static Drain-Source On-Resistance2
RDS(ON)
-
90
m
VGS=2.5V, ID=1.8A
Total Gate Charge2
Qg
-
9
-
Gate-Source Charge
Qgs
-
1
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
4
-
nC
ID=2.6A
VDS=10V
VGS=4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
6.5
-
Rise Time
Tr
-
14
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
20
-
Fall Time
Tf
-
15
-
ns
VDS=10V
ID=1A
VGS=4.5V
RG=6
RD=10
Input Capacitance
Ciss
-
300
-
Output Capacitance
Coss
-
255
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
115
-
pF
VGS=0V
VDS=8V
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
1.2
V
IS=1.7A, VGS=0V, Tj=25 :
Continuous Source Current (Body Diode)
IS
-
1.7
A
VD=VG=0V, VS=1.2V
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 90 : /W when mounted on Min. copper pad.
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